SG30LE-440i Semiconductor Low Energy élément RO

Détails du produit

SG30LE-440i Semiconductor-Grade Inverse Osmosis Elements ont été développés pour répondre aux exigences de rejet global plus élevé, de rejet plus élevé des composés organiques et de la silice de moindre poids moléculaire, et d'un profil de rinçage accéléré des TOC. Cet élément de surface élevée permet la conception du système avec moins d'éléments et une pression d'exploitation plus faible, optimisant ainsi l'amortissement des coûts d'immobilisation tout en réduisant les coûts d'exploitation.

Propriétés typiques

1. Débit d'eau pure basé sur les conditions suivantes: 225 psi (1,55 MPa), 77°F (25°C) et 15 % de récupération.

2. Débit d'eau pure basé sur les conditions suivantes: 107 psi (0,74 MPa), 77°F (25°C) et récupération de 15%.

3. Les débits pour les éléments individuels peuvent varier mais ne seront pas supérieurs de plus de 15% à la valeur indiquée.

4. Les spécifications du produit peuvent varier légèrement au fur et à mesure que des améliorations sont mises en œuvre.

5. Le rejet stabilisé (Cl-) typique pour l'individu est de99,5% dans les conditions d'essai de 2 000 ppm NaCl, 225 psi (1,55 MPa) pour SG30-400/34iand 150 psi (1,03 MPa) pour SG30LE-440i, 77°F (25°C), pH 8 et 15% de récupération. À des SDT plus faibles (<5 ppm), les rejets d'ions sont diminués selon la force ionique, le pH et les espèces ioniques.